Intel способна взорвать мировой рынок флеш-памяти NAND- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  Intel способна взорвать мировой рынок флеш-памяти NAND

Новости

Intel способна взорвать мировой рынок флеш-памяти NAND
12.01.2018, 11:30:16 
 
p>Ранее на этой неделе мы сообщали, что компании Intel и Micron меняют отношение к совместной разработке энергонезависимой памяти 3D NAND. Партнёры по совместному предприятию IM Flash Technologies (IMFT) до конца текущего года представят созданную ими 3D NAND третьего поколения (96-слойную), и, после этого, каждая займётся разработкой многослойной NAND самостоятельно. На первый взгляд, компании приняли странное решение, ведь СП IMFT продолжит свою работу. Во всяком случае, в рамках совместного предприятия Intel и Micron продолжат разрабатывать и выпускать память 3D XPoint. Но это только на первый взгляд.

В прошлом Intel неоднократно подчёркивала, что её не интересует соревнование на рынке NAND-флеш. Она выпускает преимущественно корпоративные SSD и не ищет рынков сбыта для микросхем NAND (3D NAND). Подобная политика означает следование предложения за спросом и не предусматривает интенсивного наращивания производства. Более того, в 2012 году Intel продала свою долю в предприятии СП в Сингапуре компании Micron и ограничилась поддержкой одного лишь предприятия в штате Юта. Также в 2015 году она вложила $5 млрд в модернизацию своего 300-мм завода в Китае (в городе Далянь), который раньше выпускал 2D NAND и процессорные чипсеты компании. С мая прошлого года предприятие в Даляне выпускает 64-слойную 3D NAND, которой Intel явно не делится с Micron. Налицо отдаление от Micron, которое, как уверены наши тайваньские коллеги, может зайти очень далеко.

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

По сообщению тайваньского интернет-ресурса DigiTimes со ссылкой на источники среди местных производителей, Intel может лицензировать технологию производства 3D NAND компании Tsinghua Unigroup. По мнению источников, это поможет Intel углубиться в китайский рынок и китайскую экономику. С заводом понятно. Увеличение производства 3D NAND на предприятии в Даляне легко найдёт сбыт на локальном рынке. Но зачем компании Intel нужно помогать китайцам создавать собственное производство 3D NAND, не поясняется. Но этот мотив мы можем объяснить сами.

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

В сентябре 2014 года компания Intel опубликовала пресс-релиз, в котором сообщила о намерении приобрести порядка 20 % акций тогда ещё малоизвестной нам компании Tsinghua Unigroup. Сделано это было с прицелом на сотрудничество с дочерними компаниями Tsinghua: Spreadtrum Communications и RDA Microelectronics. Из этих инвестиций потом родились SoC Intel SoFIA.

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

Что само по себе необычно, Intel едва ли не впервые провела транзакцию в юанях, заплатив за акции Tsinghua Unigroup 9 млрд юаней (примерно $1,5 млрд). Тем самым понятно, что успех Tsinghua Unigroup на рынке добавит финансов в копилку Intel. Пятая часть акций — это значительная часть дохода по ним. Компания Intel имеет прямой интерес в росте прибыльности Tsinghua и, соответственно, получит свою часть бонусов после запуска заводов Tsinghua Unigroup по выпуску 3D NAND. Для такого, быть может, не жалко расстаться с Micron и даже лицензировать китайцам технологию производства 3D NAND. Вы не находите? Это взорвёт мировой рынок NAND, но Intel останется в выигрыше в любом случае, чего не скажешь о Samsung, SK Hynix и Micron.


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: