p>Компания GlobalFoundries выпустила официальный пресс-релиз, в котором сообщила о доступности полного пакета инструментов для проектирования 7-нм полупроводников. Техпроцесс 7LP создан в содружестве с компанией Samsung и с опорой на опыт бывших инженеров компании IBM, заводы которой с лета 2015 года перешли в собственность GlobalFoundries. В дальнейшем компания сосредоточится на создании 5-нм техпроцесса, который тоже разрабатывается на основе технологического союза IBM, Samsung и GlobalFoundries.

Согласно заявлению GlobalFoundries, техпроцесс 7LP (Leading-Performance) обеспечит увеличение производительности решений на величину до 40 % и позволит на 50 % уменьшить площадь кристалла по сравнению с 14-нм техпроцессом. Увеличение плотности размещения транзисторов так же важно, как и увеличение производительности. Для ряда критически важных слоёв, а техпроцесс GlobalFoundries 7LP позволяет выпускать решения с 17 металлическими слоями, потребуется использовать по три фотошаблона на слой. Это увеличит количество производственных циклов и себестоимость решений. Техпроцесс 7LP, в данном случае, обеспечит плотность размещения транзисторов на уровне 17 млн затворов на мм².

В компании планируют, что доступность пакета для разработки 7-нм чипов обеспечит появление первых цифровых проектов в первой половине следующего года и выпуск опытных экземпляров по отдельным проектам также в первом полугодии 2018 года. Это позволит начать массовый выпуск 7-нм продукции на мощностях GlobalFoundries — на заводе Fab 8 в США — уже во второй половине 2018 года. Впрочем, в этом есть сомнения, хотя отставание от графика вряд ли будет больше полугода.

Отдельно в компании признались, что осенью GlobalFoundries планирует развернуть на своих линиях два EUV-сканера. Микросхемы с использованием техпроцесса 7LP будут выпускаться на традиционных 193-нм сканерах с погружением в жидкость (иммерсионная полупроводниковая литография). Второе поколение 7-нм техпроцесса частично будет опираться на EUV-литографию. Вероятно, это произойдёт в 2019 или в 2020 году.